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什么是FRAM?

作者:时间:2020-05-17来源:电子产品世界澳门太阳城娱乐开户登入

FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。

本文引用地址:http://amtycylkhdr.238pt.com/article/202005/413194.htm

关于铁电质

下面的图表解释了PZT晶体结构,这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛,作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定,即使在出现电场,它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么,电容器划分了底部电极电压和极化,超越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的形式存储。

PZT晶体结构和FRAM工作原理

FRAM Cell

Crystal structure of PZT(FER) pzt-2_cgi-bin_document_document_search 

Hysteresis Loop of PZTpzt-3_cgi-bin_document_document_search

1、 当加置电场时就会产生极化。(锆/钛离子在晶体中向上或向下移动)

2、 即使在不加置电场的情况下,也能保持电极。

3、 两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。

存储器分类中的FRAM

FRAM in Memory Classificationcategory_cgi-bin_document_document_search

* 非易失性:即使没有上电,也可以保存所存储的信息。

优势

与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:

非易失性

●   即使没有上电,也可以保存所存储的信息。

●   与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)

更高速度写入

●   像SRAM一样,可覆盖写入

●   不要求改写命令

●   对于擦/写操作,无等待时间

●   写入循环时间 =读取循环时间

●   写入时间:E2PROM的1/30,000

具有更高的读写耐久性

●   确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力

●   耐久性:超过100万次的 E2PROM

具有更低的功耗

●   不要求采用充电泵电路 

●   功耗:低于1/400的E2PROM

表1. FRAM和其它器件间规格差异的比较表

表1. 与其它存储器产品相比,FRAM的特性


FRAM
E2PROM
Flash
SRAM

存储器

类别

非易失性
易失性
晶胞结构*1
1T1C/2T2C
2T
1T
6T

数据

改写方法

覆盖写入
擦除+写入
扇面擦除+ 写入
覆盖写入

写入

循环时间

150ns*2
5ms
10μs
55ns
耐久力

最大 1012

(1万亿次循环*3*2

106

(100万次循环)

105

(10万次循环)

无限制

写入

操作电流

5mA(典型值)*2 
15mA(最大值)*2

5mA

(最大值)

20mA

(最大值)

8mA

(典型值) 

-

待机电流
5μA(典型值)*2 
50μA(最大值)*2

2μA

(最大值)

100μA

(最大值)

0.7μA(典型值) 
3μA(最大值)

*1) T=晶体管. C=电容器 

*2) 256Kb独立的FRAM存储器的技术规格 

*3) 读写操作的总循环

富士通FRAM集成型产品


●   独立存储器(I2C/SPI/并行接口产品)

富士通半导体提供了独立的存储器,它具有FRAM的优势,包括非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你可以将其用于各种应用,如移动装置,OA设备,数字电器和银行终端等。

FRAM application productuses_cgi-bin_document_document_search

●   独立存储器(I2C/SPI/并行接口产品)

●   适用于RFID的LSI

●   验证 IC

●   应用

●   定制 LSI

●   技术支持



关键词: RRAM

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